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BC857BT

更新时间: 2024-11-28 22:54:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 58K
描述
PNP Silicon AF Transistor

BC857BT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-75包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.05
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):220JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

BC857BT 数据手册

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BC857T  
PNP Silicon AF Transistor  
3
For AF input stages and driver applications  
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary types: BC847...T  
2
1
VPS05996  
Type  
Marking  
3Es  
Pin Configuration  
Package  
SC75  
1 = B  
1 = B  
2 = E  
2 = E  
3 = C  
3 = C  
BC857AT  
BC857BT  
3Fs  
SC75  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
DC collector current  
V
V
V
V
45  
50  
V
CEO  
CBO  
CES  
EBO  
50  
5
I
100  
mA  
C
Peak collector current  
I
200  
CM  
Total power dissipation, T = 109 °C  
P
250  
mW  
°C  
S
tot  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
150  
j
T
stg  
-65 ... 150  
Thermal Resistance  
1)  
Junction - soldering point  
R
165  
K/W  
thJS  
1
For calculation of R  
thJA  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
1
Nov-29-2001  

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