BC857BT

更新时间： 2024-02-18 13:53:06

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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描述
PNP Silicon AF Transistor

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BC857BT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC857BT 数据手册

BC857T

PNP Silicon AF Transistor

For AF input stages and driver applications

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary types: BC847...T

VPS05996

Type

Marking

3Es

Pin Configuration

Package

SC75

1 = B

2 = E

3 = C

BC857AT

BC857BT

3Fs

SC75

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

CEO

CBO

CES

EBO

100

Peak collector current

200

Total power dissipation, T = 109 °C

250

°C

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

stg

-65 ... 150

Thermal Resistance

Junction - soldering point

165

K/W

thJS

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Nov-29-2001

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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