BC857BS-TP

更新时间： 2024-02-27 05:01:51

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美微科 - MCC		晶体晶体管光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
3页	194K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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技术参数
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BC857BS-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC857BS-TP 数据手册

BC856A

THRU

BC858C

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

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Micro Commercial Components

Features

PNP Small

Signal Transistor

310mW

ꢀ

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

ꢀ

Ideally Suited for Automatic Insertion

150^oC Junction Temperature

For Switching and AF Amplifier Applications

SOT-23

Mechanical Data

ꢀ Case: SOT-23, Molded Plastic

ꢀ Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

ꢀ Polarity: See Diagram

ꢀ Weight: 0.008 grams ( approx.)

Marking Code (Note 2)

Type

Marking

Type

Marking

BC856A

BC856B

BC857A

BC857B

BC857C

BC858A

BC858B

BC858C

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Charateristic

Symbol Value Unit

-80

-50

-30

-65

-45

-30

-5.0

Collector-Base Voltage

BC856

BC857

BC858

BC856

BC857

BC858

V_CBO

.085

.37

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

Suggested Solder

Pad Layout

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

.031

.800

-100

-200

310

.035

.900

Peak Collector Current

Peak Emitter Current

Power Dissipation@T_s=50^oC(Note1)

I_CM

I_EM

P_d

.079

2.000

inches

Operating & Storage Temperature

T_j, T_STG-55~150 ^oC

.037

.950

Note: 1. Package mounted on ceramic substrate 0.7mm X 2.5cm²area.

2. Current gain subgroup “ C” is not available for BC856

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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与BC857BS-TP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BC857BT	CENTRAL	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR	获取价格
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