5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.55 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC857BS-7 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ULTRA S |
|
| BC857BS-7-F | DIODES |
获取价格 |
DUAL PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BC857BS-AU | PANJIT |
获取价格 |
SOT-363 |
|
| BC857BSHE3 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn; |
|
| BC857BSH-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
45 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose double transistorProduction |
|
| BC857BSQ | DIODES |
获取价格 |
Dual PNP, 45V, 0.1A, SOT363 |
|
| BC857BSQ | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-363 |
|
| BC857BS-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP general purpose double transistorProduction |
|
| BC857BSQ-7-F | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, GREEN, |
|
| BC857BST/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 45 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-88, 6 PI |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
