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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SC-88 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 0.9 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 65 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.38 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC856BDW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
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| BC856BDW1T3 | ONSEMI |
获取价格 |
双 PNP 双极晶体管 |
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| BC856BDW1T3G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
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| BC856BDW-AH | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| BC856BE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC856BE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC856BF | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose transistors |
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| BC856B-GS18 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
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| BC856BHE3 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn; |
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| BC856B-HF | COMCHIP |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
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