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BC856BLT1 PDF预览

BC856BLT1

更新时间： 2024-01-31 03:33:42
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
8页 252K
描述
CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)

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BC856BLT1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：65 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：220
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC856BLT1 数据手册

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by BC856ALT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
Motorola Preferred Devices  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol BC856 BC857 BC858  
Unit  
V
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
V
V
–65  
–80  
–45  
–50  
–30  
–30  
CEO  
CBO  
EBO  
1
V
2
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
V
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board, (1)  
= 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
T
A
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
556  
°C/W  
JA  
D
P
Alumina Substrate, (2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
°C/W  
°C  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BC856ALT1 = 3A; BC856BLT1 = 3B; BC857ALT1 = 3E; BC857BLT1 = 3F;  
BC857CLT1 = 3G; BC858ALT1 = 3J; BC858BLT1 = 3K; BC858CLT1 = 3L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mA)  
C
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
–65  
–45  
–30  
—
—
—
—
—
—
V
(BR)CEO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = –10 µA, V  
C EB  
= 0)  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 A)  
C
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
V
V
–80  
–50  
–30  
—
—
—
—
—
—
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –1.0 A)  
E
BC856 Series  
BC857 Series  
BC858 Series  
–5.0  
–5.0  
–5.0  
—
—
—
—
—
—
Collector Cutoff Current (V  
Collector Cutoff Current (V  
= –30 V)  
= –30 V, T = 150°C)  
I
—
—
—
—
–15  
–4.0  
nA  
µA  
CB  
CB  
CBO  
A
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a registered trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC856BLT1G ONSEMI

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 		General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC856BLT1-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC856BLT3 ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC856BLT3 MOTOROLA

获取价格

 		100mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC856BLT3G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
BC856BM NEXPERIA

获取价格

 		60 V, 100 mA PNP general-purpose transistorProduction
BC856BM BL Galaxy Electrical

获取价格

 		65V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
BC856BM3 MCC

获取价格

 		Tape&Reel: 8Kpcs/Reel,;
BC856BM3T5G ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistor PNP Silicon
BC856BMB NEXPERIA

获取价格

 		60 V, 100 mA PNP general-purpose transistorProduction

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