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BC856BF

更新时间: 2024-01-27 19:32:11
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 44K
描述
PNP general purpose transistors

BC856BF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SC-70包装说明:PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.04Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:5 pF
集电极-发射极最大电压:65 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):125JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.65 VBase Number Matches:1

BC856BF 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BC856F; BC857F; BC858F series  
PNP general purpose transistors  
1999 May 21  
Preliminary specification  
Supersedes data of 1998 Nov 10  

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