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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 65 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC856AW_1 | DIODES |
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PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BC856AW_2 | DIODES |
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PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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| BC856AW-13 | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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| BC856AW-7 | DIODES |
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PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BC856AW-7-F | DIODES |
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PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BC856AWE6327 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC856AWE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BC856AW-G | COMCHIP |
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Small Signal Transistor |
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| BC856AWHE3 | MCC |
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Tape&Reel; |
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| BC856AWQ | YANGJIE |
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SOT-323 |
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