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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC856B
BC856B PDF预览

BC856B

更新时间： 2024-11-24 22:54:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关放大器
页数 文件大小 规格书
5页 63K
描述
Switching and Amplifier Applications

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BC856B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SOT-23, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：7.25最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：65 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

BC856B 数据手册

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BC856/857/858/859/860  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
•
Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits  
3
Low Noise: BC859, BC860  
Complement to BC846 ... BC850  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
: BC856  
: BC857/860  
: BC858/859  
-80  
-50  
-30  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: BC856  
: BC857/860  
: BC858/859  
-65  
-45  
-30  
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
-5  
-100  
V
EBO  
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
310  
C
T
T
150  
J
-65 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
-15  
Units  
I
V
V
= -30V, I =0  
nA  
CBO  
CB  
E
h
= -5V, I = -2mA  
110  
800  
FE  
CE  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I = -10mA, I = -0.5mA  
-90  
-250  
-300  
-650  
mV  
mV  
CE  
BE  
BE  
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
C
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -10mA, I = -0.5mA  
-700  
-900  
mV  
mV  
C
B
I = -100mA, I = -5mA  
C
B
V
V
= -5V, I = -2mA  
-600  
-660  
-750  
-800  
mV  
mV  
CE  
CE  
C
= -5V, I = -10mA  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -5V, I = -10mA  
150  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
V
V
= -10V, I =0, f=1MHz  
6
pF  
ob  
CB  
E
NF  
Noise Figure  
: BC856/857/858  
: BC859/860  
: BC859  
= -5V, I = -200µA  
2
1
1.2  
1.2  
10  
4
4
dB  
dB  
dB  
dB  
CE  
C
f=1KHz, R =2KΩ  
G
V
= -5V, I = -200µA  
CE  
C
: BC860  
R =2KΩ, f=30~15000Hz  
2
G
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
12345

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BC856B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC856BMTF ONSEMI

功能相似

 PNP外延硅晶体管
BC856B DIOTEC

功能相似

 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

与BC856B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC856B,215 ETC

获取价格

 		TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
BC856B,235 ETC

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 		TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
BC856B/DG/B3,215 ETC

获取价格

 		TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC856B/DG/B3,235 ETC

获取价格

 		TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC856B/E8 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC856B/E9 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC856B/T1 ETC

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 		TRANSISTOR SMD KLEINSIGNAL UNIVERSAL
BC856B/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SST3, SMD, 3
BC856B-13-F DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23
BC856B-7 DIODES

获取价格

 		PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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