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BC856BDW1T1

更新时间： 2024-02-17 08:49:53

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乐山 - LRC		晶体晶体管
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5页	166K
描述
Dual General Purpose Transistors(PNP Duals)

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BC856BDW1T1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.9
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	65 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.38 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC856BDW1T1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Dual General Purpose Transistors

PNP Duals

These transistors are designed for general purpose amplifier

applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is

designed for low power surface mount applications.

BC856BDW1T1

BC857BDW1T1

BC857CDW1T1

BC858BDW1T1

BC858CDW1T1

Q₂

See Table

Q₁

SOT–363/SC–88

CASE 419B STYLE 1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol BC856

BC857 BC858

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

–65

–80

–45

–50

–30

–5.0

–100

–5.0

–100

–5.0

–100

Collector Current

-Continuous

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation

Per Device

P _D

380

250

FR– 5 Board, (1) T_A= 25°C

Derate above 25°C

3.0

328

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

R _θJA

T _J, T _stg

–55 to +150

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

BC856BDW1T1

BC857BDW1T1

BC857CDW1T1

BC858BDW1T1

BC858CDW1T1

SOT–363

3000 Units/Reel

BC856b–1/5

12 3 4 5

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