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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 65 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.65 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC856B | MCC |
获取价格 |
PNP Small Signal Transistor 310mW |
|
| BC856B | RECTRON |
获取价格 |
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
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| BC856B | TAITRON |
获取价格 |
SMD General Purpose Transistor (PNP) |
|
| BC856B | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose transistors |
|
| BC856B | NEXPERIA |
获取价格 |
65 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction |
|
| BC856B | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BC856B | FAIRCHILD |
获取价格 |
Switching and Amplifier Applications |
|
| BC856B | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| BC856B | SECOS |
获取价格 |
BC856A |
|
| BC856B | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR (PNP) |
|
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