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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | SOT-363 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.42 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 65 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PUMD6,115 | NXP |
功能相似  |
PEMD6; PUMD6 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = open TSSOP 6-Pin |
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| MUN5316DW1T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual Bias Resistor Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC846PN-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays |
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| BC846PN-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP |
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| BC846PNH6727 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
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| BC846PNQ62702C2537 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR SOT363 |
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| BC846-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
65 V, 100 mA NPN general-purpose transistorsProduction |
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| BC846R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC846R-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC846R-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
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| BC846S | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC846S | TYSEMI |
获取价格 |
For AF input stage and driver applications, High current gain. |
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