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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.03 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 65 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 110 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BC846R-TAPE-7 | NXP | 暂无描述 |
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| BC846S | DIOTEC | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC846S | TYSEMI | For AF input stage and driver applications, High current gain. |
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| BC846S | MCC | Dual NPN Small Signal Transistor 200mW |
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| BC846S | SECOS | Plastic-Encapsulate Multi-Chip (NPN+NPN) Transistor |
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| BC846S | NXP | NPN general purpose double transistor |
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