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BC846S PDF预览

BC846S

更新时间： 2024-01-15 11:37:42
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 87K
描述
Plastic-Encapsulate Multi-Chip (NPN+NPN) Transistor

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BC846S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.03Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：65 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：110JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

BC846S 数据手册

  
BC846S  
Plastic-Encapsulate  
Multi-Chip (NPN+NPN) Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
SOT-363  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Two transistors in one package  
Reduces number of components and board space  
No mutual interference between the transistors  
A
E
5
L
6
4
MARKING：  
B
4Ft  
1
2
3
F
C
H
J
PACKAGE INFORMATION  
Top View  
K
D G  
Package  
MPQ  
Leader Size  
SOT-363  
3K  
7 inch  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
2.20  
2.45  
1.35  
1.10  
Min.  
Max.  
A
B
C
D
2.00  
2.15  
1.15  
0.90  
G
H
J
0.100 REF.  
0.525 REF.  
0.08  
0.15  
K
8°  
E
F
1.20  
0.15  
1.40  
0.35  
L
0.650 TYP.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
IC  
Value  
Unit  
80  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
65  
6
0.1  
V
Collector Current  
A
Collector Power Dissipation  
Junction & Storage Temperature  
PC  
200  
mW  
°C  
TJ, TSTG  
150, -65~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Test Conditions  
IC=10µA, IE=0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
80  
-
-
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO  
65  
-
IC=10mA , IB=0  
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
DC Current Gain  
V(BR)EBO  
ICBO  
6
-
-
IE=10µA , IC=0  
-
-
15  
5
nA  
VCB= 30V, IE=0  
IEBO  
-
-
µA  
VEB=5V, IC=0  
hFE  
110  
-
-
VCE=5V, IC=2mA  
IC=10mA, IB=0.5mA  
IC=100mA, IB=5mA  
IC=10mA, IB=0.5mA  
VCE(sat)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
-
-
-
-
-
0.1  
0.3  
-
V
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
0.77  
VCB=5V, IE=10mA,  
f=100MHz  
fT  
100  
-
-
-
-
MHz  
pF  
Collector Output Capacitance  
Cob  
1.5  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
19-Sep-2011 Rev. A  
Page 1 of 1  
1

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