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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 65 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 110 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC846R-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC846R-TAPE-7 | NXP |
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暂无描述 |
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| BC846S | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC846S | TYSEMI |
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For AF input stage and driver applications, High current gain. |
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| BC846S | MCC |
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Dual NPN Small Signal Transistor 200mW |
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| BC846S | SECOS |
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Plastic-Encapsulate Multi-Chip (NPN+NPN) Transistor |
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| BC846S | NXP |
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NPN general purpose double transistor |
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| BC846S | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon AF Transistor Array (For AF input stages and driver applications High current |
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| BC846S | FS |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
|
| BC846S | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN general purpose double transistorProduction |
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