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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.42 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BC557BTA | ONSEMI |
功能相似  |
50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon Transistor, 2000-FNFLD |
|
| 2N6426G | ONSEMI |
功能相似 |
Darlington Transistors NPN Silicon |
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| BC558A | DIOTEC |
功能相似 |
Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC214LB | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
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| BC214LB_L34Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| BC214LC | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
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| BC214LC | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Transistor, |
|
| BC214P | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S |
|
| BC214PK | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S |
|
| BC214PL | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S |
|
| BC214PM1TC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S |
|
| BC214PQ | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S |
|
| BC214PSTOA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S |
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