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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC557BTA
BC557BTA PDF预览

BC557BTA

更新时间： 2024-11-04 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管开关PC
页数 文件大小 规格书
8页 111K
描述
50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon Transistor, 2000-FNFLD

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BC557BTA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.96最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

BC557BTA 数据手册

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BC556B, BC557, A, B, C,  
BC558B, C  
Amplifier Transistors  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
V
Vdc  
2
CEO  
1
BC556  
BC557  
BC558  
–65  
–45  
–30  
BASE  
2
3
3
CASE 29  
TO–92  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
Vdc  
CBO  
EBO  
EMITTER  
BC556  
BC557  
BC558  
–80  
–50  
–30  
STYLE 17  
ORDERING INFORMATION  
V
–5.0  
Vdc  
Device  
Package  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
Shipping  
Collector Current – Continuous  
Collector Current – Peak  
I
–100  
–200  
mAdc  
C
I
CM  
BC556B  
5000 Units/Box  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
Base Current – Peak  
I
–200  
mAdc  
BM  
BC556BRL1  
BC556BZL1  
BC557  
Total Device Dissipation  
P
D
D
@ T = 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation  
P
@ T = 25°C  
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
BC557ZL1  
2000/Ammo Pack  
C
Derate above 25°C  
BC557A  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
5000 Units/Box  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
BC557AZL1  
BC557B  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
BC557BRL1  
BC557BZL1  
BC557C  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
200  
°C/W  
θJA  
Thermal Resistance,  
Junction to Case  
R
83.3  
°C/W  
θJC  
BC557CZL1  
BC558B  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
BC558BRL  
BC558BRL1  
BC558BZL1  
BC558C  
2000/Tape & Reel  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
BC558CRL1  
BC558ZL1  
BC558CZL1  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
2000/Ammo Pack  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
June, 2000 – Rev. 1  
BC556/D  
12345678

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BC557BTA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC557BTF ONSEMI

类似代替

 50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon Transistor, 2000-REEL
2N6426G ONSEMI

类似代替

 Darlington Transistors NPN Silicon
2N6426 ONSEMI

类似代替

 Darlington Transistors

与BC557BTA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC557B-TAP VISHAY

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC557BTF ONSEMI

获取价格

 		50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon Transistor, 2000-REEL
BC557BTFR ROCHESTER

获取价格

 		100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
BC557BTFR ONSEMI

获取价格

 		100 mA, 45 V, PNP Bipolar Juction Transistor
BC557BU ONSEMI

获取价格

 		100 mA, 45 V, PNP Bipolar Juction Transistor
BC557BU FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC557-BULK VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3, BIP G
BC557BZL1 ONSEMI

获取价格

 		Amplifier Transistors
BC557BZL1 MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A
BC557BZL1G ONSEMI

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 		Amplifier Transistors PNP Silicon

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