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BC557BTF PDF预览

BC557BTF

更新时间： 2024-09-26 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管开关PC
页数 文件大小 规格书
8页 111K
描述
50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon Transistor, 2000-REEL

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BC557BTF 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.8
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

BC557BTF 数据手册

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BC556B, BC557, A, B, C,  
BC558B, C  
Amplifier Transistors  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
V
Vdc  
2
CEO  
1
BC556  
BC557  
BC558  
–65  
–45  
–30  
BASE  
2
3
3
CASE 29  
TO–92  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
Vdc  
CBO  
EBO  
EMITTER  
BC556  
BC557  
BC558  
–80  
–50  
–30  
STYLE 17  
ORDERING INFORMATION  
V
–5.0  
Vdc  
Device  
Package  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
Shipping  
Collector Current – Continuous  
Collector Current – Peak  
I
–100  
–200  
mAdc  
C
I
CM  
BC556B  
5000 Units/Box  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
Base Current – Peak  
I
–200  
mAdc  
BM  
BC556BRL1  
BC556BZL1  
BC557  
Total Device Dissipation  
P
D
D
@ T = 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation  
P
@ T = 25°C  
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
BC557ZL1  
2000/Ammo Pack  
C
Derate above 25°C  
BC557A  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
5000 Units/Box  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
BC557AZL1  
BC557B  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
BC557BRL1  
BC557BZL1  
BC557C  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
200  
°C/W  
θJA  
Thermal Resistance,  
Junction to Case  
R
83.3  
°C/W  
θJC  
BC557CZL1  
BC558B  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
BC558BRL  
BC558BRL1  
BC558BZL1  
BC558C  
2000/Tape & Reel  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
BC558CRL1  
BC558ZL1  
BC558CZL1  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
2000/Ammo Pack  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
June, 2000 – Rev. 1  
BC556/D  
12345678

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BC557BTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC557BTA ONSEMI

类似代替

 50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon Transistor, 2000-FNFLD

与BC557BTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC557BTFR ROCHESTER

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 		100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
BC557BTFR ONSEMI

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 		100 mA, 45 V, PNP Bipolar Juction Transistor
BC557BU ONSEMI

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 		100 mA, 45 V, PNP Bipolar Juction Transistor
BC557BU FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC557-BULK VISHAY

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 		TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3, BIP G
BC557BZL1 ONSEMI

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BC557BZL1 MOTOROLA

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