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BC214LB

更新时间： 2024-11-04 22:27:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 29K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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BC214LB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.27Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：140
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

BC214LB 数据手册

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BC214LB  
PNP General Purpose Amplifier  
•
This device is deisgned for use as general purpose amplifiers and  
switches requiring collector currents to 300mA.  
Sourced from process 68.  
•
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-30  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)-  
V
V
CEO  
-45  
CBO  
EBO  
-5.0  
V
I
- Continuous  
-500  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
I
I
I
= -2mA, I = 0  
-30  
-45  
-5.0  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= -10µA, I = 0  
E
= -10µA, I = 0  
V
C
I
I
V
V
= -30V, I = 0  
-15  
-15  
nA  
nA  
CB  
EB  
E
= -4V, I = 0  
EBO  
C
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
V
= -5V, I = -2mA  
140  
400  
FE  
CE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= -10mA, I = -0.5mA  
-0.25  
-0.6  
V
CE  
C
C
B
= -100mA, I = -5mA  
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
= -100mA, I = -5mA  
-1.1  
V
V
BE  
C
B
V
= -5V, I = -2mA  
-0.6  
200  
-0.72  
BE  
CE  
C
Small Signal Characteristics  
f
Current gain Bandwidth Product  
V
= -5V, I = -10mA  
MHz  
dB  
T
CE  
C
f = 100MHz  
NF  
Noise Figure  
V
= -5V, I = -200µA  
2.0  
400  
10  
CE  
C
RG = 2kΩ, f = 15.7KHz  
h
Small Signal Current Gain  
Output Capacitance  
I
= -2mA, V = -5V  
200  
fe  
C
CE  
f = 1KHz  
C
V
= -10V, f = 1MHz  
pF  
OB  
CB  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2003  
1234

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BC214LB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC214LC FAIRCHILD

完全替代

 PNP General Purpose Amplifier

与BC214LB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC214LB_L34Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC214LC FAIRCHILD

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 		PNP General Purpose Amplifier
BC214LC MICRO-ELECTRONICS

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 		Transistor,
BC214P ZETEX

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