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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC214RLRP
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BC214RLRP

更新时间： 2024-02-26 18:19:49
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 111K
描述
100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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BC214RLRP 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.66
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：6 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：140
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：1 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：320 MHzVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

BC214RLRP 数据手册

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by BC212/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
BC BC BC  
212 213 214  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–50 –30 –30  
–60 –45 –45  
–5.0  
Vdc  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–100  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
357  
125  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –2.0 mAdc, I = 0)  
BC212  
BC213  
BC214  
V
–50  
–30  
–30  
—
—
—
—
—
—
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 A, I = 0)  
BC212  
BC213  
BC214  
V
–60  
–45  
–45  
—
—
—
—
—
—
Vdc  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
BC212  
BC213  
BC214  
V
–5  
–5  
–5  
—
—
—
—
—
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector–Emitter Leakage Current  
(V = –30 V)  
BC212  
BC213  
BC214  
I
—
—
—
—
—
—
–15  
–15  
–15  
nAdc  
nAdc  
CBO  
CB  
Emitter–Base Leakage Current  
(V = –4.0 V, I = 0)  
BC212  
BC213  
BC214  
I
—
—
—
—
—
—
–15  
–15  
–15  
EBO  
EB  
C
Motorola, Inc. 1996  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC214ZL1 MOTOROLA

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