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BC223

更新时间: 2024-01-26 19:36:40
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1264K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-92

BC223 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.55
最大集电极电流 (IC):0.4 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.36 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

BC223 数据手册

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