是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.59 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-35 | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.5 W | 最大重复峰值反向电压: | 120 V |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV19_AY_10001 | PANJIT |
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SWITCHING DIODES | |
BAV19_B0_10001 | PANJIT |
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SWITCHING DIODES | |
BAV19_R2_10001 | PANJIT |
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SWITCHING DIODES | |
BAV19116 | NXP |
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DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode | |
BAV19-13 | DIODES |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon | |
BAV19136 | NXP |
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DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode | |
BAV19153 | NXP |
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DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode | |
BAV199 | UTC |
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DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE | |
BAV199 | NEXPERIA |
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Low-leakage double diodeProduction | |
BAV199 | PANJIT |
获取价格 |
SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |