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BAV199

更新时间： 2024-01-20 15:33:15

品牌	Logo	应用领域
扬杰 - YANGJIE		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	250K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon,

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BAV199 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.16 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	3 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAV199 数据手册

RoHS

COMPLIANT

BAV199

Small-Signal Fast Switching Diodes

Features

● VR 100V

●

I_FAV single diode loaded 215mA

double diode loaded 125mA

Typical Applications

●Low-Leakage

Mechanical Data

●

ackage: SOT23

● Terminals: Tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

●

Marking:

(T =25℃Unless otherwise specified

■

Maximum Ratings

）

Conditions

VALUE

PARAMETER

SYMBOL

UNIT

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

V_RRM

V_R

IR=100uA

100

Peak forward surge current

IFSM

Non-Repetitive t = 1 μs

single diode loaded

215

125

Average forward current

I_FAV

double diode loaded

P_tot

T_j

Power dissipation

℃

250

150

Maximum junction temperature

Storage temperature range

T_stg

℃

-55 to +150

Electrical Characteristics（T =25℃Unless otherwise specified）

■

PARAMETER

Symbol

UNIT

Conditions

Min

Max

Breakdown Voltage

V_R

IR=100uA

100

IF=1mA

0.9

1.0

1.1

1.25

IF=10mA

Forward Voltage

V_F

IF=50mA

IF=150mA

VR=75V

Reverse Leakage Current

Capacitance

I_R

VR=0V,f=1MHz

IF=IR=10mA，Irr=0.1*IR,

RL=100Ω

Reverse Recovery Time

Trr

1 / 4

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

S-S2019

Rev.1.1,24-Jan-19

www.21yangjie.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BAV199/T4	NXP	获取价格	DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal
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