5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.16 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 85 V | 最大反向恢复时间： | 3 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV199DW_09 | DIODES |
获取价格 |
QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAV199DW_1 | DIODES |
获取价格 |
QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAV199DW_13 | MCC |
获取价格 |
200mW 85Volt Plastic-Encapsulate Diode |
|
| BAV199DW-13 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 4 Element, 0.16A, 85V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-6 |
|
| BAV199DW-7 | DIODES |
获取价格 |
QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAV199DW-7-F | DIODES |
获取价格 |
QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAV199DWQ | DIODES |
获取价格 |
QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAV199DW-SOT-363 | CJ |
获取价格 |
Multi-Chip DIODES |
|
| BAV199DW-T1 | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 4 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-6 |
|
| BAV199DW-T1-LF | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 4 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
