BAV199LT1

更新时间： 2024-01-23 20:44:29

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TRSYS		二极管
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Plastic-Encapsulated Diodes

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BAV199LT1 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

SOT-23 Plastic-Encapsulated Diodes

BAV199LT1 SWITCHING DIODE

SOT-23

FEATURES

Power dissipation

P_D:

225 mW (Tamb=25℃)

Forward Current

2. 4

1. 3

I_F:

Reverse Voltage

V_R:

215 mA

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

Unit: mm

Mar ki ng JY

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)

I_R

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

I_R= 100µA

V_R=70V

I_F=1mA

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=150mA

900

1000

1100

1250

V_F

Forward voltage

C_D

t _{r r}

V_R=0V, f=1MHz

Diode capacitance

Reverse recovery time

µS

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