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BAV199DW-TP-HF

更新时间: 2024-11-27 20:51:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 577K
描述
Rectifier Diode, 4 Element, 0.16A, 85V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

BAV199DW-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.6配置:2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G6湿度敏感等级:1
元件数量:4端子数量:6
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.16 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.2 W
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向恢复时间:3 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

BAV199DW-TP-HF 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
BAV199DW  
Features  
·
·
Low Leakage Leakage Current  
200mW 85Volt  
Plastic-Encapsulate  
Diode  
Surface Mount Package ideally Suited for  
Automatic Insertion  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
·
·
·
MAKING:K52  
SOT-363  
G
C
B
Maximum Ratings  
·
·
Operating Temperature: -65°C to +150°C  
Storage Temperature: -65°C to +150°C  
A
H
M
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
K
J
Reverse Voltage  
VR  
IFM  
85V  
D
L
Forward continuous  
Current  
160mA  
Power Dissipation  
PD  
VF  
200mW  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
0.9V  
1.0V  
1.1V  
1.25V  
IFM = 1mA;  
IFM = 10mA;  
IFM = 50mA;  
IFM = 150mA;  
Maximum  
Instantaneous  
Forward Voltage  
MM  
DIM  
A
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
.006  
.045  
.085  
B
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
IR  
5nA  
VR=75V  
---  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
L
M
Typical Junction  
Capacitance  
Reverse Recovery  
Time  
CJ  
Trr  
2.0pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=0V  
IF=IR=10mA  
Irr = 0.1*IR  
3uS  
Rc=100W  
www.mccsemi.com  
Revision: B  
2013/01/01  
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