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BAV199F

更新时间: 2024-01-09 17:01:08
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 447K
描述
Silicon Low Leakage Diode

BAV199F 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.6配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.16 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.2 W
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向恢复时间:3 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

BAV199F 数据手册

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BAV199...  
Silicon Low Leakage Diode  
Low-leakage applications  
Medium speed switching times  
Series pair configuration  
BAV199  
BAV199F  
3
D
1
D
2
1
2
Type  
BAV199  
Package  
SOT23  
Configuration  
series  
Marking  
JYs  
BAV199F*  
TSFP-3  
series  
JYs  
* Preliminary  
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
80  
85  
Unit  
V
Diode reverse voltage  
Peak reverse voltage  
Forward current  
Non-repetitive peak surge forward current  
t = 1 µs  
V
V
R
RM  
200  
mA  
A
I
I
F
FSM  
4.5  
0.5  
t = 1 s  
mW  
°C  
Total power dissipation  
P
tot  
BAV199, T 31°C  
330  
250  
S
BAV199F, T tbd  
S
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
j
-65 ... 150  
stg  
Mar-10-2004  
1

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