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BAV199DW

更新时间： 2024-02-09 17:36:49

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科信 - KEXIN		二极管
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描述
Quad Surface Mount Low Leakage Diode

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BAV199DW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.16 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	3 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAV199DW 数据手册

SMD Type

Diodes

Quad Surface Mount Low Leakage Diode

KAV199DW^(BAV199DW)

SOT-363

Unit: mm

+0.1

1.3

-0.1

0.65

Features

Surface Mount Package Ideally Suited for

Automatic Insertion

Very Low Leakage Current

+0.05

0.1

-0.02

+0.1

0.3

-0.1

+0.1

-0.1

2.1

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Peak repetitive reverse voltage

Working peak reverse voltage

DC blocking voltage

VRRM

VRWM

RMS reverse voltage

VR(RMS)

160

Forward Continuous Current

Single diode

Double diode

IFM

140

Repetitive Peak Forward Current

IFRM

500

4.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0

IFSM

@ t = 1.0ms

@ t = 1.0s

1.0

0.5

Power dissipation

200

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating and storage temperature range

RèJA

Tj,Tstg

625

-65 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

Reverse Breakdown Voltage

V(BR)R

IR = 100

IF = 1.0mA

0.90

1.0

IF = 10mA

Forwarad voltage

Leakage Current

IF = 50mA

1.1

IF = 150mA

1.25

5.0

VR = 75V

VR = 75V,TJ=150

VR = 0, f = 1.0MHz

Junction Capacitance

trr

Reverse Recovery Time

3.0

IF=IR=10mA,Irr=0.1xIR,RL=100

Marking

K52

www.kexin.com.cn

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