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BAV199DW

更新时间： 2024-02-14 15:48:38

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	88K
描述
Multi-Chip DIODES

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BAV199DW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.16 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	3 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAV199DW 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-363 Plastic-Encapsulate Diodes

BAV199DW Multi-Chip DIODES

SOT-363

FEATURES

Power dissipation

P_CM:0.2

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_F

Collector-base voltage

V_R: 85

200

Operating and storage junction temperature range

T_J,T_stg: -55℃ to +150℃

MARKING:K52

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_{(BR) R}

I_R

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

I_R= 100µA

V_R=75V

I_F=1mA

0.9

1.0

1.1

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=150mA

Forward voltage

V_F

C_j

t_rr

1.25

Junction capacitance

Reveres recovery time

V_R=0V

f=1MHz

I_F=I_R=10mA

I_rr=0.1ХI_R

R_L=100Ω

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