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| Source Url Status Check Date： | 2013-06-14 00:00:00 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-236 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 7.01 |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.9 V |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1 A | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.16 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 85 V |
| 最大反向恢复时间： | 3 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAV199,215 | NXP |
类似代替  |
BAV199 - Low-leakage double diode TO-236 3-Pin |
|
| BAV199T/R | NXP |
类似代替 |
DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal |
|
| BAV199 | NXP |
类似代替 |
Low-leakage double diode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV199/T3 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal |
|
| BAV199/T4 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal |
|
| BAV199_07 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Low Leakage Diode |
|
| BAV199_08 | DIODES |
获取价格 |
DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAV199_09 | WEITRON |
获取价格 |
Surface Mount Switching Diode |
|
| BAV199_1 | DIODES |
获取价格 |
DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAV199_13 | MCC |
获取价格 |
Dual Series Switching Diode |
|
| BAV199_15 | DIODES |
获取价格 |
DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAV199_15 | UTC |
获取价格 |
DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| BAV199-13 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.16A, 85V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
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