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BAV199DW PDF预览

BAV199DW

更新时间： 2024-02-10 21:41:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 66K
描述
QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

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BAV199DW 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.6配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：85 V最大反向恢复时间：3 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

BAV199DW 数据手册

 浏览型号BAV199DW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV199DW的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: BAV199DW  
BAV199DW  
Lead-free  
QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE  
Features  
·
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic  
Insertion  
SOT-363  
A
Dim  
A
B
C
D
F
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
·
·
Very Low Leakage Current  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
C
B
Mechanical Data  
·
G
H
Case: SOT-363  
0.65 Nominal  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
0.30  
1.80  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
8°  
K
J
M
G
H
J
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
L
D
F
Terminals: Finish - Matte Tin Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
AC  
1
C2  
A2  
K
L
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
·
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe). Please see Ordering Information, Page 3  
·
·
·
Polarity: See Diagram  
M
a
AC  
2
A1  
C1  
Marking: K52 & Date Code (See Page 3)  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
TOP VIEW  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
85  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
VR(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
60  
V
Forward Continuous Current (Note 2)  
Single diode  
Double diode  
160  
140  
IFM  
mA  
mA  
IFRM  
Repetitive Peak Forward Current (Note 2)  
500  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
4.0  
1.0  
0.5  
IFSM  
A
@ t = 1.0ms  
@ t = 1.0s  
Pd  
Power Dissipation (Note 2)  
200  
625  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)  
IR = 100mA  
85  
¾
¾
V
IF = 1.0mA  
IF = 10mA  
IF = 50mA  
IF = 150mA  
0.90  
1.0  
VF  
Forward Voltage  
¾
¾
V
1.1  
1.25  
V
V
R = 75V  
5.0  
80  
nA  
nA  
IR  
CT  
trr  
Leakage Current (Note 1)  
Total Capacitance  
¾
¾
¾
¾
2
R = 75V, Tj = 150°C  
VR = 0, f = 1.0MHz  
¾
pF  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
¾
3.0  
ms  
Notes:  
1. Short duration test pulse to minimize self-heating effect.  
2. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. No purposefully added lead.  
DS30417 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
BAV199DW  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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