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BAV199/T4

更新时间: 2024-02-19 00:12:41
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 121K
描述
DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

BAV199/T4 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.12
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最大输出电流:0.16 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向恢复时间:3 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAV199/T4 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ook, halfpage  
BAV199  
Low-leakage double diode  
Product data sheet  
2001 Oct 12  
Supersedes data of 1999 May 11  

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