5秒后页面跳转
BAV199/T3 PDF预览

BAV199/T3

更新时间: 2024-02-01 05:48:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 121K
描述
DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

BAV199/T3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.6配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.16 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.25 W
参考标准:IEC-60134最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向恢复时间:0.003 µs表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAV199/T3 数据手册

 浏览型号BAV199/T3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV199/T3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BAV199/T3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BAV199/T3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BAV199/T3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BAV199/T3的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ook, halfpage  
BAV199  
Low-leakage double diode  
Product data sheet  
2001 Oct 12  
Supersedes data of 1999 May 11  

与BAV199/T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV199/T4 NXP

获取价格

DIODE 0.16 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal
BAV199_07 INFINEON

获取价格

Silicon Low Leakage Diode
BAV199_08 DIODES

获取价格

DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE
BAV199_09 WEITRON

获取价格

Surface Mount Switching Diode
BAV199_1 DIODES

获取价格

DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE
BAV199_13 MCC

获取价格

Dual Series Switching Diode
BAV199_15 DIODES

获取价格

DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE
BAV199_15 UTC

获取价格

DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE
BAV199-13 DIODES

获取价格

Rectifier Diode, 2 Element, 0.16A, 85V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
BAV199-13-F DIODES

获取价格

Rectifier Diode, 2 Element, 0.16A, 85V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3