生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.59 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.25 V | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流: | 9 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 0.25 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 0.4 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 120 V |
最大反向电流: | 0.1 µA | 最大反向恢复时间: | 0.05 µs |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV199 | UTC |
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DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
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BAV199 | NEXPERIA |
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Low-leakage double diodeProduction |
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BAV199 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
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BAV199 | SECOS |
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Plastic-Encapsulate Diode |
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BAV199 | MCC |
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Dual Series Switching Diode |
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BAV199 | NXP |
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Low-leakage double diode |
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BAV199 | INFINEON |
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Silicon Low Leakage Diode Array (Low-leakage applications Medium speed switching times Con |
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BAV199 | DIODES |
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DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
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BAV199 | YANGJIE |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon, |
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BAV199 | TYSEMI |
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Plastic SMD package Low leakage current: typ. 3 pA Continuous reverse voltage:max. 75 V |
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