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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV19153 | NXP |
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DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BAV199 | UTC |
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DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
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| BAV199 | NEXPERIA |
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Low-leakage double diodeProduction |
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| BAV199 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
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| BAV199 | SECOS |
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Plastic-Encapsulate Diode |
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| BAV199 | MCC |
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Dual Series Switching Diode |
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| BAV199 | NXP |
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Low-leakage double diode |
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| BAV199 | INFINEON |
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Silicon Low Leakage Diode Array (Low-leakage applications Medium speed switching times Con |
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| BAV199 | DIODES |
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DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
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| BAV199 | YANGJIE |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 85V V(RRM), Silicon, |
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