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BAV19.TR

更新时间: 2024-11-01 19:59:47
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
4页 106K
描述
0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

BAV19.TR 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.59
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BAV19.TR 数据手册

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