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BAS85

更新时间： 2024-10-02 11:14:11

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安世 - NEXPERIA		二极管
页数	文件大小	规格书
10页	774K
描述
Schottky barrier diodeProduction

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BAS85 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-LELF-R2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA HIGH SPEED SWITCH	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAS85 数据手册

BAS85

Schottky barrier diode

Rev. 6 — 10 September 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Planar Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection,

encapsulated in a small hermetically sealed glass SOD80C Surface-Mounted

Device SMD package with tin-plated metal discs at each end. It is suitable for

“automatic placement” and as such it can withstand immersion soldering.

1.2 Features and benefits

Low forward voltage

High breakdown voltage

Guard-ring protected

Hermetically sealed glass SMD package

1.3 Applications

Ultra high-speed switching

Voltage clamping

Protection circuits

Blocking diodes

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

I_F

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

200

Unit

forward current

reverse voltage

forward voltage

V_R

V_F

I_F= 100 mA

800

12 3 4 5 6 7...10

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