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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAS521LP-7
BAS521LP-7 PDF预览

BAS521LP-7

更新时间： 2024-11-30 08:48:27
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美台 - DIODES 整流二极管开关高压PC
页数 文件大小 规格书
4页 83K
描述
HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE

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BAS521LP-7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：R-PBCC-N2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：1.59Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：338062
Samacsys Pin Count：2Samacsys Part Category：Schottky Diode
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：BAS521LP-7-1
Samacsys Released Date：2020-02-24 16:46:55Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PBCC-N2JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：8 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.4 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：325 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

BAS521LP-7 数据手册

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BAS521LP  
HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
Fast Switching Speed: Maximum of 50 ns  
High Reverse Breakdown Voltage: 325V  
•
•
Case: DFN1006-2  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish - NiPdAu over Copper leadframe. Solderable  
per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 2  
Ordering Information: See Page 2  
Weight: 0.0009 grams (approximate)  
Low Leakage Current: Maximum of 50nA when VR = 5V or  
Maximum of 150nA when VR = 250V at Room Temperature  
Ultra Small Plastic SMD Package: 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm  
Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 3)  
"Green" Device (Note 4)  
•
•
•
•
•
•
•
•
2
1
Bottom View  
Device Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Symbol  
VRRM  
VRWM  
VR  
Value  
325  
Unit  
V
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
325  
V
Forward Current (Note 2)  
400  
8.0  
3.0  
mA  
A
IF  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs  
Repetitive Peak Forward Current @ t=8.3ms (Note 2)  
IFSM  
IFRM  
A
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 2)  
Symbol  
Value  
400  
Unit  
mW  
PD  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
312  
°C/W  
°C  
Rθ  
JA  
-65 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)  
Symbol  
V(BR)R  
VF  
Min  
300  
⎯
Max  
⎯
1.1  
Unit  
V
V
Test Condition  
IR = 100μA  
IF = 100mA  
Forward Voltage  
V
V
R = 5V  
R = 250V  
nA  
nA  
μA  
50  
150  
100  
⎯
⎯
⎯
Reverse Current (Note 1)  
IR  
VR = 250V, TJ = 150°C  
VR = 0, f = 1.0MHz  
IF = IR = 30mA,  
Total Capacitance  
5
pF  
CT  
trr  
⎯
⎯
Reverse Recovery Time  
50  
ns  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100Ω  
Notes:  
1. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
2. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. No purposefully added lead. Halogen and Antimony Free.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 4  
www.diodes.com  
September 2010  
© Diodes Incorporated  
BAS521LP  
Document number: DS32176 Rev. 4 - 2  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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