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BAS521B

更新时间： 2024-12-01 11:12:59

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安世 - NEXPERIA		二极管
页数	文件大小	规格书
11页	194K
描述
High-voltage switching diodeProduction

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BAS521B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAS521B 数据手册

BAS521B

High-voltage switching diode

29 June 2018

Product data sheet

1. General description

High-voltage switching diode, in an ultra small SOD523 (SC-72) flat lead Surface-Mounted Device

(SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

High switching speed: t_rr≤ 50 ns

•

Low leakage current: I_R≤ 100 nA

High reverse voltage: V_R≤ 200 V

Low capacitance: C_d≤ 2 pF

Ultra small and leadless SMD plastic package

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

High-speed switching

General-purpose switching

Voltage clamping

Reverse polarity protection

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

I_F

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

250

Unit

forward current

T_j= 25 °C

[1]

V_RRM

repetitive peak reverse

voltage

V_R

V_F

reverse voltage

forward voltage

200

I_F= 200 mA; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;

T_j= 25 °C

1.25

I_R

t_rr

reverse current

V_R= 200 V; pulsed; T_j= 25 °C

100

reverse recovery time I_F= 30 mA; I_R= 30 mA; R_L= 100 Ω;

I_R(meas)= 3 mA; T_j= 25 °C

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.

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