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BAS521-HF

更新时间： 2024-12-01 01:24:43
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上华 - COMCHIP 光电二极管
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4页 526K
描述
SMD Switching Diodes

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BAS521-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.56
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
最大重复峰值反向电压：300 V最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS521-HF 数据手册

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SMD Switching Diodes  
BAS521-HF  
Reverse Voltage: 300 Volts  
Forward Current: 250 mA  
RoHS Device  
SOD-523  
Halogen Free  
0.067(1.70)  
0.059(1.50)  
0.051(1.30)  
0.043(1.10)  
Features  
- Ultra small plastic SMD package.  
0.028(0.70)  
0.020(0.50)  
0.035(0.90)  
0.028(0.70)  
- High voltage switching diode.  
- High continuous reverse voltage: 300V  
- Repetitive peak forward current: 625mA  
- High switching speed: max.50ns, Molded plastic  
0.012(0.30)  
Typ.  
Mechanical data  
- Case: SOD-523 standard package,  
- Terminals: Solderable per MIL-STD-750, method 2026  
- Mounting position: Any  
0.004(0.10)  
Typical  
0.010(0.25)  
0.006(0.15)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
- Weight: 0.012 grams(approx.)  
Circuit Diagram  
Maximum Ratings(at TA=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Value  
300  
300  
250  
1
Unit  
V
Repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
VR  
Continous reverse voltage  
Continous forward currnt  
Repetitive forward current  
V
Ts≤90°C; Note 1  
IF  
mA  
A
tp=1ms  
IFRM  
Non-repetitive peak forward surge current  
tp=1ms;square wave; TJ=25°C prior to surge  
IFSM  
4.5  
A
Total power dissipation  
Junction temperature  
Ts≤90°C; Note 1  
Ptot  
TJ  
500  
150  
mW  
°C  
Storage and operating ambient temperature  
TSTG, Tamb  
-65 ~ +150  
°C  
Note: Ts is temperature at the soldering point of the cathode tab.  
Electrical Characteristics(at TA=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Typ.  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
Breakdown voltage  
VBR  
VF  
IR  
IR=100uA  
300  
340  
0.95  
30  
V
Forwardvoltage  
IF=100mA  
1.1  
150  
100  
5
V
VR=250V  
nA  
μA  
pF  
Reverse current  
VR=250V, TJ=150°C  
VR=0V, f=1MHz  
IR  
40  
Diode capacitance  
Cd  
0.4  
When switching from IF=30mA  
to IR=30mA; RL=100W;  
measured at IR=3mA  
Reverse recovery time  
trr  
16  
50  
nS  
REV:A  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
Page 1  
QW-J0004  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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