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BAS40V

更新时间: 2024-11-25 08:48:27
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
3页 181K
描述
150mW Schottky Diodes

BAS40V 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-F6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.25配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.15 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V最大反向恢复时间:0.005 µs
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

BAS40V 数据手册

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M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
BAS40V  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Fast Switching Speed  
Low Forward Voltage Drop  
PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection  
Lead Free Plating  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
150mW  
Schottky Diodes  
·
SOT-563  
Maxim um Ratings  
Symbol  
VRRM  
VRWM  
VR  
Rating  
Rating  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
40  
V
IO  
Average Rectified Output Current  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
200  
833  
150  
mA  
R/W  
mW  
R
R
PD  
TJ  
E
JA  
Power dissipation  
Junction Temperature  
-55 to +125  
-65 to +150  
Storage Temperature  
R
TSTG  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Test Conditions  
V(BR)  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Voltage Leakage  
Current  
40V  
IR=10IA  
DIMENSIONS  
IR  
200nA  
VR=30V, tp<300Is  
INCHES  
MIN  
.006  
.043  
.061  
MM  
DIM  
A
B
C
D
G
H
K
L
M
MAX  
.011  
.049  
.067  
MIN  
0.15  
1.10  
1.55  
MAX  
0.30  
1.25  
1.70  
NOTE  
IF=1mA, tp<300Is  
IF=40mA, tp<300Is  
VR=0, f=1MHZ  
Irr=10mA,IR=IF=10m  
A, RL=100=  
380mV  
1000mV  
VF  
CT  
trr  
Forward Voltage  
Total Capacitance  
Reverse Recovery Time  
5pF  
.020  
0.50  
5ns  
.035  
.059  
.022  
.004  
.004  
.043  
.067  
.023  
.011  
.007  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
Marking: KAN  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 3  

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