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BAS40W

更新时间： 2024-11-06 18:04:51

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RECTRON		/
页数	文件大小	规格书
5页	637K
描述
Reverse Voltage Vr : 40 V;Forward Current Io : 0.2 A;Max Surge Current : 0.6 A;Forward Voltage Vf : 0.38 V;Reverse Current Ir : 0.2 uA;Recovery Time : 5 ns;Package / Case : SOT-323;Mounting Style : SMD/SMT;Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101

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BAS40W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	265
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BAS40W 数据手册

BAS40W/-04

/-05/-06

SCHOTTKY BARRIER DIODE

Low Forward Voltage

Fast Switching

MARKING:

Solid dot = Green molding compound device,if none,

the normal device.

V_RRM

V_RWM

V_R

300

I_FM

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC

method)

600

150

I^FSM

P_D

T_J

1 5

-55~+

T_STG

-55~+150

Symbol

V_(BR)

I_R

Test conditions

I_R= 10 A

V_R=30V

200

I_F=1mA

380

V_F

C_D

I_F=40mA

1000

V_R=0,f=1MHz

I_rr=1mA, I_R=I_F=10mA

R_L=100

t _{r r}

2020-11/02

REV:D

12 3 4 5

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