是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP28,.4 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.81 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 250 ns |
其他特性: | AUTOMATIC WRITE | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.9 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP28,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.65 mm | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.015 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
宽度: | 7.5 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28BV256-25TC | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28BV256-25TI | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, MO-183, TSOP1-28 | |
AT28BV256-DWF | ATMEL |
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EEPROM, 250ns, Parallel, CMOS, | |
AT28BV256-W | ATMEL |
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EEPROM, 250ns, Parallel, CMOS, | |
AT28BV64 | ATMEL |
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64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM | |
AT28BV64-30 | ATMEL |
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64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM | |
AT28BV64-30JC | ATMEL |
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64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM | |
AT28BV64-30JI | ATMEL |
获取价格 |
64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM | |
AT28BV64-30JIT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT28BV64-30JJ | ATMEL |
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