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AT28BV64B-20PI PDF预览

AT28BV64B-20PI

更新时间： 2024-11-27 22:53:59
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 电池存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 247K
描述
64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection

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AT28BV64B-20PI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP28,.6
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.81Is Samacsys：N
最长访问时间：200 ns其他特性：100K ENDURANCE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
命令用户界面：NO数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：10耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：37.0205 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.826 mm最大待机电流：0.00005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：YES
宽度：15.24 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

AT28BV64B-20PI 数据手册

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Features  
• Single 2.7V to 3.6V Supply  
• Hardware and Software Data Protection  
• Low Power Dissipation  
– 15 mA Active Current  
– 20 µA CMOS Standby Current  
• Fast Read Access Time - 200 ns  
• Automatic Page Write Operation  
– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes  
– Internal Control Timer  
• Fast Write Cycle Times  
64K (8K x 8)  
– Page Write Cycle Time: 10 ms Maximum  
– 1 to 64 Byte Page Write Operation  
• DATA Polling for End of Write Detection  
• High-reliability CMOS Technology  
– Endurance: 100,000 Cycles  
– Data Retention: 10 Years  
• JEDEC Approved Byte-wide Pinout  
• Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Battery-Voltage™  
Parallel EEPROM  
with Page Write  
and Software  
Description  
Data Protection  
The AT28BV64B is a high-performance electrically erasable programmable read only  
memory (EEPROM). Its 64K of memory is organized as 8,192 words by 8 bits. Manu-  
factured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers  
access times to 200 ns with power dissipation of just 54 mW. When the device is  
deselected, the CMOS standby current is less than 20 µA.  
AT28BV64B  
(continued)  
Pin Configurations  
PDIP, SOIC  
Top View  
Pin Name  
A0 - A12  
CE  
Function  
Addresses  
NC  
A12  
A7  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
28 VCC  
27 WE  
26 NC  
25 A8  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Data Inputs/Outputs  
No Connect  
A6  
OE  
A5  
24 A9  
A4  
23 A11  
22 OE  
21 A10  
20 CE  
19 I/O7  
18 I/O6  
17 I/O5  
16 I/O4  
15 I/O3  
A3  
WE  
A2  
A1  
I/O0 - I/O7  
NC  
3-Volt, 64K  
A0 10  
I/O0 11  
I/O1 12  
I/O2 13  
GND 14  
E2PROM with  
Data Protection  
DC  
Don’t Connect  
PLCC  
Top View  
TSOP  
Top View  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
5
6
7
8
9
29 A8  
28 A9  
27 A11  
26 NC  
25 OE  
24 A10  
23 CE  
22 I/O7  
21 I/O6  
OE  
A11  
A9  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A10  
CE  
2
3
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
A8  
4
NC  
WE  
VCC  
NC  
A12  
A7  
5
A1 10  
A0 11  
6
7
NC 12  
I/O0 13  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
A6  
A5  
A4  
A1  
Rev. 0299F–05/28/99  
A3  
A2  
Note:  
PLCC package pins 1 and 17  
are DON’T CONNECT.  
1234567...12

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与AT28BV64B-20PI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT28BV64B-20PL ATMEL

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 		EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28
AT28BV64B-20SC ATMEL

获取价格

 		64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM
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