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AT28BV64B-20JU

更新时间： 2024-11-28 06:38:19
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 电池可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
17页 353K
描述
64K (8K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection

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AT28BV64B-20JU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFJ
包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：4.38
最长访问时间：200 ns命令用户界面：NO
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e3
长度：13.97 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：32字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：245电源：3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.556 mm最大待机电流：0.00005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40切换位：YES
宽度：11.43 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

AT28BV64B-20JU 数据手册

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Features  
•
•
•
Single 2.7V to 3.6V Supply  
Hardware and Software Data Protection  
Low Power Dissipation  
– 15 mA Active Current  
– 20 µA CMOS Standby Current  
Fast Read Access Time – 200 ns  
Automatic Page Write Operation  
– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes  
– Internal Control Timer  
•
•
64K (8K x 8)  
Battery-Voltage  
Parallel  
•
Fast Write Cycle Times  
– Page Write Cycle Time: 10 ms Maximum  
– 1 to 64 Byte Page Write Operation  
DATA Polling for End of Write Detection  
High-reliability CMOS Technology  
– Endurance: 100,000 Cycles  
•
•
EEPROM  
– Data Retention: 10 Years  
with Page Write  
and Software  
Data Protection  
•
•
•
JEDEC Approved Byte-wide Pinout  
Industrial Temperature Ranges  
Green (Pb/Halide-free) Packaging Option  
1. Description  
The AT28BV64B is a high-performance electrically erasable programmable read only-  
memory (EEPROM). Its 64K of memory is organized as 8,192 words by 8 bits. Manu-  
factured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers  
access times to 200 ns with power dissipation of just 54 mW. When the device is  
deselected, the CMOS standby current is less than 20 µA.  
AT28BV64B  
The AT28BV64B is accessed like a static RAM for the read or write cycle without the  
need for external components. The device contains a 64 byte page register to allow  
writing of up to 64 bytes simultaneously. During a write cycle, the addresses and 1 to  
64 bytes of data are internally latched, freeing the address and data bus for other  
operations. Following the initiation of a write cycle, the device will automatically write  
the latched data using an internal control timer. The end of a write cycle can be  
detected by DATA polling of I/O7. Once the end of a write cycle has been detected a  
new access for a read or write can begin.  
Atmel’s AT28BV64B has additional features to ensure high quality and manufactura-  
bility. A software data protection mechanism guards against inadvertent writes. The  
device also includes an extra 64 bytes of EEPROM for device identification or  
tracking.  
0299H–PEEPR–10/06  
1234567...17

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AT28BV64B-20JU 替代型号

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