5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP28,.5 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 300 ns | 其他特性： | 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| 数据保留时间-最小值： | 10 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 17.9 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP28,.5 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 2.65 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.008 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 切换位： | NO | 宽度： | 7.5 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 3 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28BV64-30SI | ATMEL |
获取价格 |
64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
|
| AT28BV64-30SJ | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
|
| AT28BV64-30TC | ATMEL |
获取价格 |
64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
|
| AT28BV64-30TI | ATMEL |
获取价格 |
64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
|
| AT28BV64-30TJ | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, MO-183, TSOP-28 |
|
| AT28BV64B | ATMEL |
获取价格 |
64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM |
|
| AT28BV64B | MICROCHIP |
获取价格 |
The Microchip AT28BV64B is a high-performance 64Kbit Parallel EEPROM offering access time |
|
| AT28BV64B_06 | ATMEL |
获取价格 |
64K (8K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
|
| AT28BV64B_09 | ATMEL |
获取价格 |
64K (8K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
|
| AT28BV64B-20JC | ATMEL |
获取价格 |
64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
