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AT28BV64-30JI

更新时间： 2024-11-27 22:39:15

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爱特美尔 - ATMEL		电池存储内存集成电路异步传输模式 ATM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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8页	414K
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64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM

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AT28BV64-30JI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	300 ns	其他特性：	100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	3.55 mm
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.008 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	NO	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	3 ms	Base Number Matches：	1

AT28BV64-30JI 数据手册

AT28BV64

Features

2.7V to 3.6V Supply

•

Full Read and Write Operation

Low Power Dissipation

•

8 mA Active Current

50 µA CMOS Standby Current

Read Access Time - 300 ns

Byte Write - 3 ms

Direct Microprocessor Control

DATA Polling

•

64K (8K x 8)

Battery-Voltage

CMOS

READY/BUSY Open Drain Output

High Reliability CMOS Technology

Endurance: 100,000 Cycles

Data Retention: 10 Years

JEDEC Approved Byte-Wide Pinout

Commercial and Industrial Temperature Ranges

•

E²PROM

Description

The AT28BV64 is a low-voltage, low-power Electrically Erasable and Programmable

Read Only Memory specifically designed for battery powered applications. Its 64K of

memory is organized 8,192 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced

nonvolatile CMOS technology, the device offers access times to 200 ns with power

dissipation less than 30 mW. When the device is deselected the standby current is

less than 50 µA.

The AT28BV64 is accessed like a Static RAM for the read or write cycles without the

need for external components. During a byte write, the address and data are latched

internally, freeing the microprocessor address and data bus for other operations. Fol-

(continued)

Pin Configurations

PDIP, SOIC Top View

Pin Name

A0 - A12

Function

Addresses

Chip Enable

AT28BV64

Output Enable

Write Enable

Data Inputs/Outputs

Ready/Busy Output

No Connect

I/O0 - I/O7

RDY/BUSY

Don’t Connect

PLCC Top View

TSOP Top View

0493A

2-127

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT28BV64-30JIT/R	ATMEL	获取价格	EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT28BV64-30JJ	ATMEL	获取价格	暂无描述
AT28BV64-30PC	ATMEL	获取价格	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28BV64-30PI	ATMEL	获取价格	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28BV64-30PJ	ATMEL	获取价格	EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28
AT28BV64-30SC	ATMEL	获取价格	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28BV64-30SI	ATMEL	获取价格	64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
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