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AT28BV256-25PC

更新时间： 2024-11-28 20:23:31
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器ATM异步传输模式光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 219K
描述
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28

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AT28BV256-25PC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP28,.6
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.81Is Samacsys：N
最长访问时间：250 ns其他特性：AUTOMATIC WRITE
命令用户界面：NO数据轮询：YES
耐久性：10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e0长度：37.0205 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE页面大小：64 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.826 mm
最大待机电流：0.00002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES宽度：15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

AT28BV256-25PC 数据手册

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Features  
• Single 2.7V - 3.6V Supply  
• Fast Read Access Time – 200 ns  
• Automatic Page Write Operation  
– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes  
– Internal Control Timer  
• Fast Write Cycle Times  
– Page Write Cycle Time: 10 ms Maximum  
– 1- to 64-byte Page Write Operation  
• Low Power Dissipation  
– 15 mA Active Current  
256K (32K x 8)  
Battery-Voltage™  
Parallel  
– 20 µA CMOS Standby Current  
• Hardware and Software Data Protection  
• DATA Polling for End of Write Detection  
• High Reliability CMOS Technology  
– Endurance: 10,000 Cycles  
– Data Retention: 10 Years  
• JEDEC Approved Byte-wide Pinout  
• Commercial and Industrial Temperature Ranges  
EEPROMs  
Description  
AT28BV256  
The AT28BV256 is a high-performance Electrically Erasable and Programmable Read  
Only Memory. Its 256K of memory is organized as 32,768 words by 8 bits. Manufac-  
tured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access  
times to 200 ns with power dissipation of just 54 mW. When the device is deselected,  
the CMOS standby current is less than 200 µA.  
(continued)  
Pin Configurations  
PDIP, SOIC  
Top View  
Pin Name  
A0 - A14  
CE  
Function  
Addresses  
A14  
A12  
A7  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
VCC  
2
WE  
A13  
A8  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Data Inputs/Outputs  
No Connect  
3
A6  
4
OE  
A5  
5
A9  
A4  
6
A11  
OE  
WE  
A3  
7
A2  
8
A10  
CE  
I/O0 - I/O7  
NC  
A1  
9
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
GND  
DC  
Don’t Connect  
PLCC  
Top View  
TSOP  
Top View  
OE  
A11  
A9  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A10  
CE  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
5
6
7
8
9
29 A8  
28 A9  
27 A11  
26 NC  
25 OE  
24 A10  
23 CE  
22 I/O7  
21 I/O6  
2
3
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
A8  
4
A13  
WE  
VCC  
A14  
A12  
A7  
5
6
A1 10  
A0 11  
7
8
NC 12  
I/O0 13  
9
10  
11  
12  
13  
14  
A6  
A5  
A4  
A1  
Rev. 0273G–11/99  
A3  
A2  
Note: PLCC package pins 1 and 17  
are DON’T CONNECT.  
1234567...12

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与AT28BV256-25PC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT28BV256-25PI ATMEL

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 		EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28
AT28BV256-25SC ETC

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 		x8 EEPROM
AT28BV256-25SI ATMEL

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 		EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, MS-013, SOIC-28
AT28BV256-25TC ETC

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 		x8 EEPROM
AT28BV256-25TI ATMEL

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 		EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, MO-183, TSOP1-28
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AT28BV64 ATMEL

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 		64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28BV64-30 ATMEL

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