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AS6VA25616

更新时间： 2024-02-21 01:15:05
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 175K
描述
2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable

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AS6VA25616 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.73
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000002 A
最小待机电流：1.2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS6VA25616 数据手册

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AS6VA25616  
®
Read cycle (over the operating range)3,9  
Parameter  
Symbol  
Min  
55  
–
Max  
–
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Notes  
Read cycle time  
t
RC  
AA  
Address access time  
t
55  
55  
25  
–
3
3
Chip select (CS) access time  
Output enable (OE) access time  
Output hold from address change  
CS low to output in low Z  
CS high to output in high Z  
OE low to output in low Z  
UB/LB access time  
t
–
ACS  
t
–
OE  
t
10  
10  
0
5
OH  
t
–
4, 5  
4, 5  
4, 5  
CLZ  
CHZ  
OLZ  
t
t
20  
–
5
t
–
55  
–
BA  
UB/LB low to low Z  
t
10  
0
4, 5  
4, 5  
4, 5  
4, 5  
4, 5  
BLZ  
BHZ  
OHZ  
UB/LB high to high Z  
t
t
20  
20  
–
OE high to output in high Z  
Power up time  
0
t
t
0
PU  
PD  
Power down time  
–
55  
Shaded areas indicate preliminary information.  
Key to switching waveforms  
Rising input  
Falling input  
tRC  
Undefined/don’t care  
Read waveform 1 (address controlled)3,6,7,9  
Address  
tAA  
tOH  
tOH  
DOUT  
Previous data valid  
Data valid  
Read waveform 2 (CS, OE, UB, LB controlled)3,6,8,9  
tRC  
Address  
tAA  
OE  
tOE  
tOH  
tOLZ  
CS  
tOHZ  
tHZ  
tACS  
tLZ  
LB, UB  
tBA  
tBHZ  
tBLZ  
DOUT  
Data valid  
4
ALLIANCE SEMICONDUCTOR  
10/6/00  
1234567...9

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与AS6VA25616相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS6VA25616-55TC ALSC

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 		Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
AS6VA25616-BC ALSC

获取价格

 		2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable
AS6VA25616-BI ALSC

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 		2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable
AS6VA25616-TC ALSC

获取价格

 		2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable
AS6VA25616-TI ALSC

获取价格

 		2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable
AS6VA5128 ETC

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 		2.7V to 3.3V 512K X 8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM
AS6VA5128-BC ETC

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 		2.7V to 3.3V 512K X 8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM
AS6VA5128-BI ETC

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 		2.7V to 3.3V 512K X 8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM
AS6VA5128-HFC ALSC

获取价格

 		Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32
AS6VA5128-HFI ALSC

获取价格

 		Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32

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