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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.88 |
| 最长访问时间： | 55 ns | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| 长度： | 9 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 7 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS6VB51216-55BI | ALSC | Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, CSP, FBGA-48 |
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| AS6VB51216-70BC | ALSC | Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, CSP, FBGA-48 |
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| AS6VB51216-70BI | ALSC | Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, CSP, FBGA-48 |
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| AS6VB51216-85BC | ALSC | Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, CSP, FBGA-48 |
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| AS6VB51216-85BI | ALSC | Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, CSP, FBGA-48 |
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| AS6WA25616 | ETC | 3.0V to 3.6V 256K?6 IntelliwattTM low-power CMOS SRAM with one chip enable |
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