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AS6WA25616

更新时间： 2024-02-10 05:04:53

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3.0V to 3.6V 256K?6 IntelliwattTM low-power CMOS SRAM with one chip enable

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AS6WA25616 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000002 A
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

AS6WA25616 数据手册

September 2001

AS6WA25616

3.0V to 3.6V 256K×16 Intelliwatt™ low-power CMOS SRAM with one chip enable

• 1.5V data retention

• Equal access and cycle times

• Easy memory expansion with CS, OE inputs

• Smallest footprint packages

- 48-ball FBGA

- 400-mil 44-pin TSOP 2

• ESD protection ≥ 2000 volts

Features

• AS6WA25616

• Intelliwatt™ active power circuitry

• Industrial and commercial temperature ranges available

• Organization: 262,144 words × 16 bits

• 3.0V to 3.6V at 55 ns

• Low power consumption: ACTIVE

- 144 mW at 3.6V and 55 ns

• Latch-up current ≥ 200 mA

• Low power consumption: STANDBY

Pin arrangement (top view)

- 72 µW max at 3.6V

Logic block diagram

44-pin 400-mil TSOP 2

256K × 16

Array

(4,194,304)

I/ O16

I/ O15

I/ O14

I/ O13

I/ O1

I/ O2

I/ O3

I/ O4

A12

A13

I/ O5

I/ O6

I/ O7

I/ O8

I/ O12

I/ O1

I/ O1–I/ O8

I/ O9–I/ O16

I/ O

Control circuit

I/ O10

I/ O9

buffer

A17

A16

A15

A14

A13

Column decoder

A10

A11

A12

48-CSP Ball-Grid-Array Package

I/ O9 UB

CS I/ O1

I/ O10 I/ O11 A5

I/ O12 A17

A6 I/ O2 I/ O3

A7 I/ O4 V_CC

V_CCI/ O13 NC A16 I/ O5

I/ O15 I/ O14 A14 A15 I/ O6 I/ O7

I/ O16 NC A12 A13 WE I/ O8

A10 A11 NC

Selection guide

V_CCRange

Power Dissipation

Operating (I_CC)

Standby (I_SB1)

Min

(V)

Typ²

(V)

Max

(V)

Speed

(ns)

Product

Max (mA)

Max (µA)

AS6WA25616

3.0

3.3

3.6

7/ 9/ 02; v.1.3

Alliance Semiconductor

P. 1 of 9

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS6WA25616-55BC	ALSC	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, CSP, FBGA-48	获取价格
AS6WA25616-55BI	ALSC	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, CSP, FBGA-48	获取价格
AS6WA25616-55TI	ALSC	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
AS6WA25616-BC	ETC	3.0V to 3.6V 256K?6 IntelliwattTM low-power CMOS SRAM with one chip enable	获取价格
AS6WA25616-BI	ETC	3.0V to 3.6V 256K?6 IntelliwattTM low-power CMOS SRAM with one chip enable	获取价格
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